BTS113A
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BTS113A技术资料：MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

标准包装：500
系列：TEMPFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 5.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：560pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：P-TO220AB